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瑞萨收购Transphorm,利用
GaN
技术扩展电源产品阵容
香港中文大学(深圳)冀东:
GaN
同质外延中的雪崩特性
GaN同质外延
雪崩击穿
电离系数
功率器件
雪崩光电二极管
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热
GaN
器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石
SiC
GaN
衬底
英诺赛科发布100V车规级
GaN
,持续推进汽车激光雷达市场
英诺赛科
100V
车规级
GaN
汽车激光雷达
简述氮化镓(
GaN
)的应用市场
ULVAC牛山史三:
GaN
溅射技术进展
南京大学庄喆:基于外延层残余应变调控的In
GaN
基红光LED器件
深圳大学刘新科:低成本垂直
GaN
功率器件
西安电子科技大学游淑珍:面向1200V功率应用的异质衬底横向和垂直
GaN
器件发展趋势
大阪公立大学梁剑波:增强
GaN
/3C-SiC/金刚石结构的散热性能,以适应实际器件应用
多伦多大学吴伟东:用于电动汽车的液冷
GaN
和SiC功率模块
金刚石基板上的
GaN
晶体管,散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学
东北大学
金刚石
基板
氮化镓
晶体管
北京大学申请
GaN
与碳纳米管CMOS电路专利
IFWS 2023│华南师范大学尹以安:具复合栅极和阶梯结构的新型
GaN
垂直晶体管研究
IFWS 2023│台湾成功大学李清庭:
GaN
基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管
IFWS 2023│日本国立材料研究所桑立雯:
GaN
MEMS/NEMS应变调控谐振器
IFWS 2023│南方科技大学于洪宇:Si基
GaN
器件及系统研究与产业前景
IFWS 2023│中国科学院苏州纳米所司志伟:助熔剂法生长
GaN
单晶衬底的研究进展
CASAS正式成立SiC/
GaN
功率器件与模块工作组
IFWS 2023│ 中国电子科技集团第四十六研究所孙杰:高导热
GaN
/金刚石结构制备及器件性能
IFWS 2023│南京大学蔡青:Al
GaN
日盲紫外雪崩光电探测器的优化设计及击穿机理研究
IFWS&SSLCHINA 2023│英诺赛科欧洲总经理Denis Macron:高性能
GaN
功率器件高可靠性和低成本
SSLCHINA2023│北京大学教授陈志忠:利用沟槽结构生长高效率In
GaN
红光
SSLCHINA2023│厦门大学吴挺竹:基于GAN的元技术和EV的技术的最新进展
IFWS&SSLCHINA 2023重磅关注│三安将亮相并全面分享碳化硅、
GaN
激光器、MiniMicro-LED、UV LED等重要进展
日本开发新技术,可实现
GaN
垂直导电
科研新进展 | 厦门大学张保平教授课题组发表绿光
GaN
基VCSEL重要成果
华泰证券:SiC商业化进程领先
GaN
三年 预计2026年投资扩产或转向
GaN
英飞凌以8.3亿美元完成对氮化镓系统公司
GaN
Systems 的收购
晶能光电:硅衬底
GaN
材料应用大有可为
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